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公开报告

台积电3nm细节公布:2.5亿晶体管/mm2

发布时间:Oct 17, 2020公开报告 阅读 1623 次游艺棋牌
PingWest品玩4月20日讯,据快科技报道,台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情,其晶体管密度达到了2.5亿/mm²。作为参考,采用台积电7nm EUV工艺的麒麟990 5G尺寸113.31mm²,晶体管密度

PingWest品玩4月20日讯,据快科技报道,台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情,其晶体管密度达到了2.5亿/mm²。作为参考,采用台积电7nm EUV工艺的麒麟990 5G尺寸113.31mm²,晶体管密度103亿,平均下来是0.9亿/mm²,3nm工艺晶体管密度是7nm的3.6倍。

性能提升上,台积电5nm较7nm性能提升15%,能耗提升30%,而3nm较5nm性能提升7%,能耗提升15%。

游艺棋牌此外台积电还表示,3nm工艺研发符合预期,并没有受到疫情影响,预计在2021年进入风险试产阶段,2022年下半年量产。

游艺棋牌工艺上,台积电评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳,所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。